SI4812BDY-T1-E3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SI4812BDY-T1-E3
Codice DigiKey	SI4812BDY-T1-E3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4812BDY-T1-E3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 7,3 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI4812BDY-T1-E3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 16mohm a 9,5A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Serie LITTLE FOOT®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1,4W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 7,3 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI4812

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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