SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SI4800BDY-T1-GE3
Codice DigiKey	SI4800BDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4800BDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4800BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI4800BDY-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,5 A (Ta) 1,3W (Ta) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 18,5mohm a 9A, 10V
Produttore Vishay Siliconix	Vgs(th) max a Id 1,8V a 250µA
Serie TrenchFET®	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±25V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 1,3W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI4800

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI4178DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6 705	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	€ 0,92000	Consigliato dal produttore
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