SI4435FDY-T1-GE3 è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.
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Canale P 30 V 12,6 A (Tc) 4,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4435FDY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4435FDY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
31 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 12,6 A (Tc) 4,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4435FDY-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
19mohm a 9A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1500 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
4,8W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Contenitore/involucro
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,63000€ 0,63
10€ 0,38800€ 3,88
100€ 0,24950€ 24,95
500€ 0,18992€ 94,96
1 000€ 0,17069€ 170,69
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,14984€ 374,60
5 000€ 0,13694€ 684,70
7 500€ 0,13037€ 977,78
12 500€ 0,12298€ 1 537,25
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Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,63000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,76860