
SI4435FDY-T1-GE3 | |
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Codice DigiKey | SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI4435FDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 30 V 12,6 A (Tc) 4,8W (Tc) A montaggio superficiale 8-SOIC |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI4435FDY-T1-GE3 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 19mohm a 9A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,2V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1500 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 4,8W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-SOIC | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,53000 | € 0,53 |
| 10 | € 0,32400 | € 3,24 |
| 100 | € 0,20720 | € 20,72 |
| 500 | € 0,15658 | € 78,29 |
| 1 000 | € 0,14025 | € 140,25 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,12254 | € 306,35 |
| 5 000 | € 0,11157 | € 557,85 |
| 7 500 | € 0,10599 | € 794,92 |
| 12 500 | € 0,09971 | € 1 246,38 |
| 17 500 | € 0,09599 | € 1 679,83 |
| 25 000 | € 0,09237 | € 2 309,25 |
| 62 500 | € 0,08637 | € 5 398,12 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,53000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,64660 |










