
RS1E200GNTB | |
|---|---|
Codice DigiKey | RS1E200GNTBTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | RS1E200GNTB |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
Tempi di consegna standard del produttore | 21 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale 8-HSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | RS1E200GNTB Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 4,6mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,5V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 16.8 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 1080 pF @ 15 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-HSOP | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,07000 | € 1,07 |
| 10 | € 0,67100 | € 6,71 |
| 100 | € 0,44230 | € 44,23 |
| 500 | € 0,34396 | € 171,98 |
| 1 000 | € 0,31229 | € 312,29 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,27799 | € 694,98 |
| 5 000 | € 0,25679 | € 1 283,95 |
| 7 500 | € 0,24599 | € 1 844,92 |
| 12 500 | € 0,23386 | € 2 923,25 |
| 17 500 | € 0,23320 | € 4 081,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,07000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,30540 |



