MOSFET - Array 20V 19,8A 3,25W A montaggio superficiale 8-SOIC
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SI4204DY-T1-GE3

Codice DigiKey
SI4204DY-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
SI4204DY-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
SI4204DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
SI4204DY-T1-GE3
Descrizione
MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore
28 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 20V 19,8A 3,25W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
SI4204DY-T1-GE3 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2,4V a 250µA
Produttore
Vishay Siliconix
Carica del gate (Qg) max a Vgs
45nC a 10V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2110pF a 10V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Potenza - Max
3,25W
Stato componente
Attivo
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
2 canali N (doppio)
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss)
20V
Contenitore del fornitore
8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
19,8A
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
4,6mohm a 10A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 5 192
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,39000€ 2,39
10€ 1,53800€ 15,38
100€ 1,05510€ 105,51
500€ 0,84822€ 424,11
1 000€ 0,79321€ 793,21
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,70982€ 1 774,55
5 000€ 0,66540€ 3 327,00
7 500€ 0,64805€ 4 860,38
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,39000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,91580