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SI7232DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI7232DN-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI7232DN-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI7232DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI7232DN-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212 |
Tempi di consegna standard del produttore | 38 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 25A 23W A montaggio superficiale PowerPAK® 1212-8 doppio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI7232DN-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 16,4mohm a 10A, 4,5V |
Produttore Vishay Siliconix | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 32nC a 8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1220pF a 10V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 23W |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro PowerPAK® 1212-8 doppio |
Tensione drain/source (Vdss) 20V | Contenitore del fornitore PowerPAK® 1212-8 doppio |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25A | Codice componente base |
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In magazzino: 1 458
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,18000 | € 1,18 |
| 10 | € 0,74000 | € 7,40 |
| 100 | € 0,48890 | € 48,89 |
| 500 | € 0,38098 | € 190,49 |
| 1 000 | € 0,34620 | € 346,20 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,30203 | € 906,09 |
| 6 000 | € 0,27980 | € 1 678,80 |
| 9 000 | € 0,26847 | € 2 416,23 |
| 15 000 | € 0,25575 | € 3 836,25 |
| 21 000 | € 0,24822 | € 5 212,62 |
| 30 000 | € 0,24435 | € 7 330,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,18000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 1,43960 |
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