Name: SI3464DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3464DV-T1-GE3TR-ND
Price: 0.9882 EUR
Availability: InStock

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SI3464DV-T1-GE3
Codice DigiKey	SI3464DV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3464DV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3464DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3464DV-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 3,6W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1065 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3,6W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Codice componente base SI3464
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 7,5A, 4,5V

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Sostituti (15)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
SI3464DV-T1-BE3	Vishay Siliconix	3 910	742-SI3464DV-T1-BE3CT-ND	€ 0,81000	Diretto
DMN2028UVT-7	Diodes Incorporated	1 559	DMN2028UVT-7DICT-ND	€ 0,50000	Simile
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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,81000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,98820

SI3464DV-T1-GE3