Name: SI3459BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3459BDV-T1-GE3TR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

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SI3459BDV-T1-GE3
Codice DigiKey	SI3459BDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3459BDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3459BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3459BDV-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Tempi di consegna standard del produttore	11 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 2,9 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI3459BDV-T1-GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 350 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 3,3W (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,9 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI3459
RDSon (max) a Id, Vgs 216mohm a 2,2A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,34200

SI3459BDV-T1-GE3