Name: RQ6L020SPTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6L020SPTCRTR-ND
Price: 1.7934 EUR
Availability: InStock

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RQ6L020SPTCR
Codice DigiKey	RQ6L020SPTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) RQ6L020SPTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RQ6L020SPTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RQ6L020SPTCR
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RQ6L020SPTCR Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.2 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 750 pF @ 10 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 1,25W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 210mohm a 2A, 10V	Codice componente base RQ6L020