SI3424BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET, MOSFET singoli

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SI3424BDV-T1-GE3
Codice DigiKey	SI3424BDV-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI3424BDV-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI3424BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI3424BDV-T1-GE3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 8 A (Tc) 2,1W (Ta), 2,98W (Tc) A montaggio superficiale 6-TSOP
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19.6 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 735 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 2,98W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 6-TSOP
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base SI3424
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 7A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
AO6400	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	2 840	785-1067-1-ND	€ 0,73000	Simile
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RSQ020N03TR	Rohm Semiconductor	1 343	RSQ020N03CT-ND	€ 0,88000	Simile

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