Name: RSQ020N03TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSQ020N03TR-ND
Price: 1.0736 EUR
Availability: InStock

Canale N 30 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)

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RSQ020N03TR
Codice DigiKey	RSQ020N03TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RSQ020N03CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RSQ020N03DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSQ020N03TR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 2 A (Ta) 600mW (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RSQ020N03TR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,5V a 1mA
Produttore Rohm Semiconductor	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.1 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Data di acquisto finale	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 110 pF @ 10 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore del fornitore Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
RDSon (max) a Id, Vgs 134mohm a 2A, 10V	Codice componente base RSQ020

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RQ6E045BNTCR	Rohm Semiconductor	3 000	846-RQ6E045BNTCRCT-ND	€ 0,57000	Consigliato dal produttore
AO6400	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	2 840	785-1067-1-ND	€ 0,73000	Simile
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