Canale P 60 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
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RQ6L020SPTCR

Codice DigiKey
RQ6L020SPTCRTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RQ6L020SPTCRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RQ6L020SPTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RQ6L020SPTCR
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 60 V 2 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RQ6L020SPTCR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
210mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.2 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
750 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base
RQ6L020
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In magazzino: 5 024
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,39000€ 1,39
10€ 0,87700€ 8,77
100€ 0,58550€ 58,55
500€ 0,46060€ 230,30
1 000€ 0,42042€ 420,42
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,36940€ 1 108,20
6 000€ 0,34372€ 2 062,32
9 000€ 0,33503€ 3 015,27
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,39000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,69580