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SI2319DDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SI2319DDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2319DDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2319DDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SI2319DDS-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET P-CH 40V 2.7A/3.6A SOT23 |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 40 V 2,7 A (Ta), 3,6 A (Tc) 1W (Ta), 1,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SI2319DDS-T1-GE3 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 650 pF @ 20 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 1,7W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 75mohm a 2,7A, 10V |
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In magazzino: 194 962
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,77000 | € 0,77 |
| 10 | € 0,48000 | € 4,80 |
| 100 | € 0,31070 | € 31,07 |
| 500 | € 0,23790 | € 118,95 |
| 1 000 | € 0,21441 | € 214,41 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,18456 | € 553,68 |
| 6 000 | € 0,16952 | € 1 017,12 |
| 9 000 | € 0,16185 | € 1 456,65 |
| 15 000 | € 0,15325 | € 2 298,75 |
| 21 000 | € 0,14815 | € 3 111,15 |
| 30 000 | € 0,14319 | € 4 295,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,77000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,93940 |
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