Name: SI2319CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.8906 EUR
Availability: InStock

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SI2319CDS-T1-GE3
Codice DigiKey	SI2319CDS-T1-GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SI2319CDS-T1-GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SI2319CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SI2319CDS-T1-GE3
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 40 V 4,4 A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SI2319CDS-T1-GE3 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4,4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	77mohm a 3,1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	595 pF @ 20 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	SI2319

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Nastrato in bobina (TR)