Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30STRLPBF

Codice DigiKey
IRFBE30STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRFBE30STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRFBE30STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
IRFBE30STRLPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,1 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IRFBE30
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,91000€ 3,91
10€ 2,58000€ 25,80
100€ 1,82740€ 182,74
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800€ 1,43443€ 1 147,54
1 600€ 1,38234€ 2 211,74
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,91000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,77020