Name: IRFBE30STRLPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFBE30STRLPBFTR-ND
Price: 5.0386 EUR
Availability: InStock

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IRFBE30STRLPBF
Codice DigiKey	IRFBE30STRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFBE30STRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFBE30STRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	IRFBE30STRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	37 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Vishay Siliconix	Carica del gate (Qg) max a Vgs 78 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1300 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,1 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 3ohm a 2,5A, 10V	Codice componente base IRFBE30

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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