Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30SPBF

Codice DigiKey
IRFBE30SPBF-ND
Produttore
Codice produttore
IRFBE30SPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
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Modelli EDA/CAD
IRFBE30SPBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
3ohm a 2,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 3,85000€ 3,85
50€ 1,96740€ 98,37
100€ 1,78510€ 178,51
500€ 1,46602€ 733,01
1 000€ 1,36351€ 1 363,51
2 000€ 1,27736€ 2 554,72
5 000€ 1,23711€ 6 185,55
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 3,85000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 4,69700