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TW092V65C,LQ | |
|---|---|
Codice DigiKey | 264-TW092V65CLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TW092V65CLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TW092V65CLQDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | TW092V65C,LQ |
Descrizione | N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.092 OH |
Tempi di consegna standard del produttore | 24 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 27 A (Tc) 111W (Tc) A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 18V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 136mohm a 15A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 600µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +25V, -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 873 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 111W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | 175°C | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 4-DFN-EP (8x8) | |
Contenitore/involucro |
In magazzino: 2 480
Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive
Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 19,22000 | € 19,22 |
| 10 | € 13,85700 | € 138,57 |
| 100 | € 13,71720 | € 1 371,72 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 11,20683 | € 28 017,08 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 19,22000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 23,44840 |
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