Name: TRS12V65H,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS12V65H,LQTR-ND
Price: 5.7706 EUR
Availability: InStock

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TRS12V65H,LQ
Codice DigiKey	264-TRS12V65H,LQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TRS12V65H,LQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TRS12V65H,LQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TRS12V65H,LQ
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 12A A montaggio superficiale 4-DFN-EP (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Tempo di recupero zero > 500mA (Io)
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Tempo di recupero inverso (Trr) 0 ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Corrente - Dispersione inversa a Vr 120 µA @ 650 V
Stato componente Attivo	Capacità a Vr, F 778pF a 1V, 1MHz
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 650 V	Contenitore/involucro 4-VSFN piazzola esposta
Corrente - Media rettificata (Io) 12A	Contenitore del fornitore 4-DFN-EP (8x8)
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.35 V @ 12 A	Temp. di funzionamento - Giunzione 175°C