Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 1.3664 EUR
Availability: OutOfStock

Canale N 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)

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TPN1200APL,L1Q
Codice DigiKey	264-TPN1200APLL1QTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TPN1200APL,L1Q
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 40 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) A montaggio superficiale 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 11,5mohm a 20A, 10V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 2,5V a 300µA
Serie U-MOSIX-H	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1855 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 175°C
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN