TK5P60W,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage | FET, MOSFET singoli

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TK5P60W,RVQ
Codice DigiKey	TK5P60WRVQTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK5P60W,RVQ
Descrizione	MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 5,4 A (Ta) 60W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK5P60W,RVQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,7V a 270µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.5 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 380 pF @ 300 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,4 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base TK5P60
RDSon (max) a Id, Vgs 900mohm a 2,7A, 10V

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
TK6P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	1 961	264-TK6P60W,RVQCT-ND	€ 2,35000	Consigliato dal produttore
IPD80R1K2P7ATMA1	Infineon Technologies	1 776	IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND	€ 1,79000	Simile
STD8N80K5	STMicroelectronics	3 636	497-13643-1-ND	€ 2,80000	Simile

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,87298
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,06504

TK5P60W,RVQ