Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
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IPD80R1K2P7ATMA1

Codice DigiKey
IPD80R1K2P7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IPD80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IPD80R1K2P7ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
Tempi di consegna standard del produttore
15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 37W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPD80R1K2P7ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,2ohm a 1,7A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,5V a 80µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
300 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
37W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Contenitore/involucro
Codice componente base
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In magazzino: 1 784
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,36000€ 1,36
10€ 0,85800€ 8,58
100€ 0,57200€ 57,20
500€ 0,44942€ 224,71
1 000€ 0,40996€ 409,96
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,35624€ 890,60
5 000€ 0,33064€ 1 653,20
7 500€ 0,32443€ 2 433,22
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,65920