Name: TK40S06N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK40S06N1LLQTR-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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TK40S06N1L,LQ
Codice DigiKey	264-TK40S06N1LLQTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-TK40S06N1LLQCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-TK40S06N1LLQDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	TK40S06N1L,LQ
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 40 A (Ta) 88,2W (Tc) A montaggio superficiale DPAK+
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TK40S06N1L,LQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 26 nC @ 10 V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (max) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1650 pF @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 88,2W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 40 A (Ta)	Contenitore del fornitore DPAK+
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 10,5mohm a 20A, 10V	Codice componente base TK40S06
Vgs(th) max a Id 2,5V a 200µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)