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TK17N65W,S1F | |
|---|---|
Codice DigiKey | TK17N65WS1F-ND |
Produttore | |
Codice produttore | TK17N65W,S1F |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 17,3 A (Ta) 165W (Tc) Foro passante TO-247 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | TK17N65W,S1F Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 900µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 45 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1800 pF @ 300 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 165W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 200mohm a 8,7A, 10V |
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Sostituti (8)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 74 | IPW60R160P6FKSA1-ND | € 4,02000 | Simile |
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | € 3,29000 | Simile |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | € 7,81000 | Simile |
| IXFR48N60Q3 | IXYS | 0 | IXFR48N60Q3-ND | € 24,20347 | Simile |
| SIHG21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG21N65EF-GE3-ND | € 2,52608 | Simile |
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Tubo
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,13000 | € 5,13 |
| 30 | € 2,89967 | € 86,99 |
| 120 | € 2,40700 | € 288,84 |
| 510 | € 2,04586 | € 1 043,39 |
| 1 020 | € 1,91410 | € 1 952,38 |
| 2 010 | € 1,83260 | € 3 683,53 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,13000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,25860 |
