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SPW24N60C3FKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | SPW24N60C3FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPW24N60C3FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24.3A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 24,3 A (Tc) 240W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPW24N60C3FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,9V a 1,2mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 135 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3000 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 240W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 160mohm a 15,4A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R160P6FKSA1 | Infineon Technologies | 74 | IPW60R160P6FKSA1-ND | € 4,02000 | Consigliato dal produttore |
| FCH170N60 | onsemi | 182 | FCH170N60-ND | € 5,61000 | Diretto |
| FCH190N65F-F155 | onsemi | 381 | FCH190N65F-F155-ND | € 6,35000 | Simile |
| IXFX44N80Q3 | IXYS | 0 | IXFX44N80Q3-ND | € 32,80910 | Simile |
| IXTH26N60P | IXYS | 0 | IXTH26N60P-ND | € 10,21000 | Simile |

















