Name: SSM6P816R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6P816RLFTR-ND
Price: 0.8296 EUR
Availability: InStock

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SSM6P816R,LF
Codice DigiKey	264-SSM6P816RLFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6P816RLFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6P816RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6P816R,LF
Descrizione	MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 6 A (Ta) 1,4W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16,6nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1030pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 1,4W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Configurazione 2 canali P (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,8V	Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 6-TSOP-F
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6 A (Ta)	Codice componente base SSM6P816
RDSon (max) a Id, Vgs 30,1mohm a 4A, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)