Name: SSM6N62TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N62TULFTR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

SSM6N62TU,LF
Codice DigiKey	SSM6N62TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N62TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N62TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N62TU,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UF6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N62TU,LF Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 177pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 500mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,2V	Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore UF6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 800mA (Ta)	Codice componente base SSM6N62
RDSon (max) a Id, Vgs 85mohm a 800mA, 4,5V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 7 036

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)