
SSM6N62TU,LF | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6N62TULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N62TULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N62TULFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N62TU,LF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 800mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale UF6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6N62TU,LF Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,2V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 800mA (Ta) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 85mohm a 800mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 2nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 177pF a 10V | |
Potenza - Max | 500mW (Ta) | |
Temperatura di funzionamento | 150°C | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 6-SMD, conduttori piatti | |
Contenitore del fornitore | UF6 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,58000 | € 0,58 |
| 10 | € 0,35600 | € 3,56 |
| 100 | € 0,22840 | € 22,84 |
| 500 | € 0,17318 | € 86,59 |
| 1 000 | € 0,15536 | € 155,36 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,12873 | € 386,19 |
| 6 000 | € 0,11767 | € 706,02 |
| 9 000 | € 0,11202 | € 1 008,18 |
| 15 000 | € 0,10569 | € 1 585,35 |
| 21 000 | € 0,10193 | € 2 140,53 |
| 30 000 | € 0,09828 | € 2 948,40 |
| 75 000 | € 0,09825 | € 7 368,75 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,70760 |











