Name: SSM6N813R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6N813R,LFTR-ND
Price: 0.9028 EUR
Availability: InStock

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SSM6N813R,LF
Codice DigiKey	264-SSM6N813R,LFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-SSM6N813R,LFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 264-SSM6N813R,LFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N813R,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 6TSOPF
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 100V 3,5 A (Ta) 1,5W (Ta) A montaggio superficiale 6-TSOP-F
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,6nC a 4,5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 242pF a 15V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 1,5W (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 175°C
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canali N (doppio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,5 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-SMD, conduttori piatti
RDSon (max) a Id, Vgs 112mohm a 3,5A, 10V	Contenitore del fornitore 6-TSOP-F
Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA	Codice componente base SSM6N813

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Nastrato in bobina (TR)