
SSM6N56FE,LM | |
|---|---|
Codice DigiKey | SSM6N56FELMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N56FELMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N56FELMDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SSM6N56FE,LM |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 |
Tempi di consegna standard del produttore | 12 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 20V 800mA 150mW A montaggio superficiale ES6 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SSM6N56FE,LM Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Gate livello logico, comando 1,5V | |
Tensione drain/source (Vdss) | 20V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 800mA | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 235mohm a 800mA, 4,5V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 1nC a 4,5V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 55pF a 10V | |
Potenza - Max | 150mW | |
Temperatura di funzionamento | 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-563, SOT-666 | |
Contenitore del fornitore | ES6 | |
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 0,33000 | € 0,33 |
| 10 | € 0,20400 | € 2,04 |
| 100 | € 0,12810 | € 12,81 |
| 500 | € 0,09522 | € 47,61 |
| 1 000 | € 0,08460 | € 84,60 |
| 2 000 | € 0,07565 | € 151,30 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4 000 | € 0,06606 | € 264,24 |
| 8 000 | € 0,05990 | € 479,20 |
| 12 000 | € 0,05676 | € 681,12 |
| 20 000 | € 0,05323 | € 1 064,60 |
| 28 000 | € 0,05113 | € 1 431,64 |
| 40 000 | € 0,04910 | € 1 964,00 |
| 100 000 | € 0,04534 | € 4 534,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,33000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,40260 |











