Name: SSM6L35FE,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L35FELMTR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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SSM6L35FE,LM
Codice DigiKey	SSM6L35FELMTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6L35FELMCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6L35FELMDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6L35FE,LM
Descrizione	MOSFET N/P-CH 20V 0.18A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 180mA, 100mA 150mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6L35FE,LM Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 3ohm a 50mA, 4V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9,5pF a 3V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 150mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Configurazione Canale N e P	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore ES6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180mA, 100mA	Codice componente base SSM6L35

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,31000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,37820

SSM6L35FE,LM