Name: SSM6N35AFE,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6N35AFELFTR-ND
Price: 0.3782 EUR
Availability: InStock

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SSM6N35AFE,LF
Codice DigiKey	SSM6N35AFELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6N35AFELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6N35AFELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6N35AFE,LF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 250mA (Ta) 250mW A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6N35AFE,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 100µA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,34nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 36pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 250mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento 150°C
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 1,2V	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore ES6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 250mA (Ta)	Codice componente base SSM6N35
RDSon (max) a Id, Vgs 1,1ohm a 150mA, 4,5V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)