Name: CSD19538Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47322-2-ND
Price: 0.8906 EUR
Availability: InStock

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CSD19538Q2
Codice DigiKey	296-47322-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-47322-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-47322-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19538Q2
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 14,4 A (Ta) 2,5W (Ta), 20,2W (Tc) A montaggio superficiale 6-WSON (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19538Q2 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	14,4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	59mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	454 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 20,2W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-WSON (2x2)
Contenitore/involucro	6-WDFN piazzola esposta
Codice componente base	CSD19538

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Nastrato in bobina (TR)