SSM6K211FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage | FET, MOSFET singoli

SSM6K211FE,LF è obsoleto e non è più in produzione.

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Toshiba Semiconductor and Storage

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Prezzo unitario : € 0,11546

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SSM6K211FE,LF
Codice DigiKey	SSM6K211FELFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6K211FELFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6K211FELFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6K211FE,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 3,2 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale ES6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6K211FE,LF Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10.8 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSIII	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 510 pF @ 10 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Contenitore del fornitore ES6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,2 A (Ta)	Contenitore/involucro SOT-563, SOT-666
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Codice componente base SSM6K211
RDSon (max) a Id, Vgs 47mohm a 2A, 4,5V