Name: DMTH6002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6002LPS-13DITR-ND
Price: 2.623 EUR
Availability: InStock

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DMTH6002LPS-13
Codice DigiKey	DMTH6002LPS-13DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMTH6002LPS-13DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMTH6002LPS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMTH6002LPS-13
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 100 A (Tc) 167W A montaggio superficiale PowerDI5060-8 (tipo K)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMTH6002LPS-13 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	130.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6555 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerDI5060-8 (tipo K)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	DMTH6002