Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 0.5246 EUR
Availability: InStock

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SSM6H19NU,LF
Codice DigiKey	SSM6H19NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6H19NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6H19NU,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-UDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6H19NU,LF Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVII-H
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 8V
RDSon (max) a Id, Vgs	185mohm a 1A, 8V
Vgs(th) max a Id	1,2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	130 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1W (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	6-UDFN (2x2)
Contenitore/involucro	6-UDFN piazzola esposta
Codice componente base	SSM6H19

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,52460

SSM6H19NU,LF