Name: SSM6H19NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6H19NULFTR-ND
Price: 0.5612 EUR
Availability: InStock

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SSM6H19NU,LF
Codice DigiKey	SSM6H19NULFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) SSM6H19NULFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SSM6H19NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	SSM6H19NU,LF
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-UDFN (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SSM6H19NU,LF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,2V a 1mA
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Carica del gate (Qg) max a Vgs 2.2 nC @ 4.2 V
Serie U-MOSVII-H	Vgs (max) ±12V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 130 pF @ 10 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore 6-UDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 8V	Codice componente base SSM6H19
RDSon (max) a Id, Vgs 185mohm a 1A, 8V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)