Name: HN4C51J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4C51J(TE85LF)TR-ND
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

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HN4C51J(TE85L,F)
Codice DigiKey	HN4C51J(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) HN4C51J(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HN4C51J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	HN4C51J(TE85L,F)
Descrizione	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array Base comune 2 NPN (doppia) 120V 100mA 100MHz 300mW A montaggio superficiale SMV
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HN4C51J(TE85L,F) Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di transistor	Base comune 2 NPN (doppia)
Corrente - Collettore (Ic) max	100mA
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	120V
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic	300mV a 1mA, 10mA
Corrente - Interruzione collettore (max)	100 nA (ICBO)
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce	200 a 2mA, 6V
Potenza - Max	300mW
Frequenza - Transizione	100MHz
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SC-74A, SOT-753
Contenitore del fornitore	SMV
Codice componente base	HN4C51

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Nastrato in bobina (TR)