Name: HN4A06J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4A06J(TE85LF)TR-ND
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

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HN4A06J(TE85L,F)
Codice DigiKey	HN4A06J(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) HN4A06J(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) HN4A06J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	HN4A06J(TE85L,F)
Descrizione	TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array Coppia abbinata (doppia) a 2 PNP, emettitore comune 120V 100mA 100MHz 300mW A montaggio superficiale SMV
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	HN4A06J(TE85L,F) Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 a 2mA, 6V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Potenza - Max 300mW
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Frequenza - Transizione 100MHz
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor Coppia abbinata (doppia) a 2 PNP, emettitore comune	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Contenitore/involucro SC-74A, SOT-753
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 120V	Contenitore del fornitore SMV
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 1mA, 10mA	Codice componente base HN4A06
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,50000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,61000

HN4A06J(TE85L,F)