
STW35N65DM2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-STW35N65DM2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STW35N65DM2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 32A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STW35N65DM2 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 56.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2540 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 250W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 110mohm a 16A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH104N60F | onsemi | 326 | FCH104N60F-ND | € 7,17000 | Simile |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 810 | FCH110N65F-F155-ND | € 7,87000 | Simile |
| SCT3080ALGC11 | Rohm Semiconductor | 413 | SCT3080ALGC11-ND | € 11,55000 | Simile |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | € 10,50000 | Simile |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | € 9,26000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 5,58000 | € 5,58 |
| 10 | € 3,74000 | € 37,40 |
| 100 | € 2,69780 | € 269,78 |
| 600 | € 2,21345 | € 1 328,07 |
| 1 200 | € 2,07718 | € 2 492,62 |
| 2 400 | € 2,04195 | € 4 900,68 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 5,58000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 6,80760 |

