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In magazzino: 0
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In magazzino: 10 047
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IXYS
In magazzino: 240
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Scheda tecnica
Canale N 650 V 5 A (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-220
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STP9N65M2

Codice DigiKey
497-15042-5-ND
Produttore
Codice produttore
STP9N65M2
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 5 A (Tc) 60W (Tc) Foro passante TO-220
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STP9N65M2 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
10 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±25V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
315 pF @ 100 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
900mohm a 2,5A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AOT10N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT10N65-ND€ 0,72510Simile
AOT4S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1268-5-ND€ 0,00000Simile
AOT8N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT8N65-ND€ 0,00000Simile
AOT9N70Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOT9N70-ND€ 0,63387Simile
IPP80R900P7XKSA1Rochester Electronics, LLC10 0472156-IPP80R900P7XKSA1-ND€ 0,73942Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,66149€ 661,49
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,66149
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,80702