Simile
Simile
Simile

AOT8N65 | |
|---|---|
Codice DigiKey | AOT8N65-ND |
Produttore | |
Codice produttore | AOT8N65 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 8A TO220 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 8 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante TO-220 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 28 nC @ 10 V |
Confezionamento Tubo | Vgs (max) ±30V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1400 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Tipo di montaggio Foro passante |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-220 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,15ohm a 4A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP10N80P | IXYS | 240 | IXFP10N80P-ND | € 7,06000 | Simile |
| STP9NK65Z | STMicroelectronics | 0 | STP9NK65Z-ND | € 1,35151 | Simile |
| TK7E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 70 | TK7E80WS1X-ND | € 4,10000 | Simile |




