Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.4534 EUR
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
Codice DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH2N120K5-2AG
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 1,5 A (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	10ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	5.3 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	124 pF @ 100 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	60W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	H2PAK-2
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STH2N120