Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 5.8438 EUR
Availability: InStock

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STH2N120K5-2AG
Codice DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH2N120K5-2AG
Descrizione	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 1,5 A (Tc) 60W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH2N120K5-2AG Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5.3 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 124 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,5 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore del fornitore H2PAK-2
RDSon (max) a Id, Vgs 10ohm a 500mA, 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Vgs(th) max a Id 4V a 100µA	Codice componente base STH2N120