Canale N 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY02N120P

Codice DigiKey
IXTY02N120P-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY02N120P
Descrizione
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
Tempi di consegna standard del produttore
32 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
75ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 100µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
104 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
33W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,71000€ 2,71
70€ 1,28714€ 90,10
140€ 1,16593€ 163,23
560€ 0,97805€ 547,71
1 050€ 0,91206€ 957,66
2 030€ 0,85317€ 1 731,94
5 040€ 0,84474€ 4 257,49
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,71000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,30620