Name: STGSH50M120D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGSH50M120DTR-ND
Price: 21.4598 EUR
Availability: InStock

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STGSH50M120D
Codice DigiKey	497-STGSH50M120DTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STGSH50M120DCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STGSH50M120DDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STGSH50M120D
Descrizione	IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Array Semiponte 1200 V 69 A 536 W A montaggio superficiale 9-ACEPACK SMIT
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STGSH50M120D Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Array IGBT
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	-
Configurazione	Semiponte
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	69 A
Potenza - Max	536 W
Vce(on) max a Vge, Ic	2,3V a 15V, 50A
Corrente - Interruzione collettore (max)	25 µA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	3152 pF @ 25 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	9-PowerSMD
Contenitore del fornitore	9-ACEPACK SMIT