Array IGBT

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Codice produttore	Quantità disponibile	Prezzo	Serie	Contenitore	Stato del prodotto	Tipo di IGBT	Configurazione	Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) max	Potenza - Max	Vce(on) max a Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Capacità di ingresso (Cies) a Vce	Ingresso	Termistore NTC	Temperatura di funzionamento	Tipo di montaggio	Contenitore/involucro	Contenitore del fornitore
STGSH50M120D IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD STMicroelectronics	163 In magazzino	1 : € 17,59000 Nastro pre-tagliato (CT) 200 : € 9,31540 Nastrato in bobina (TR)	-	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Attivo	-	Semiponte	1200 V	69 A	536 W	2,3V a 15V, 50A	25 µA	3152 pF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 175°C (TJ)	A montaggio superficiale	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
MMIX4G20N250 IGBT ARR FBRIDGE 2500V 23A 24SMD IXYS	289 In magazzino	1 : € 90,19000 Tubo	-	Tubo	Obsoleto	-	Ponte intero	2500 V	23 A	100 W	3,1V a 15V, 20A	10 µA	1.19 nF @ 15 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 24-SMD, 9 conduttori	24-SMPD
MMIX4B22N300 IGBT ARR FBRIDGE 3000V 38A 24SMD IXYS	0 In magazzino Verifica i tempi di consegna	1 : € 99,70000 Tubo	BIMOSFET™	Tubo	Attivo	-	Ponte intero	3000 V	38 A	150 W	2,7V a 15V, 22A	35 µA	2.2 nF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 24-SMD, 9 conduttori	24-SMPD
FII30-06D IGBT ARR HBRIDGE 600V 30A I4PAK5 IXYS	0 In magazzino	25 : € 5,41840 Tubo	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Semiponte	600 V	30 A	100 W	2,4V a 15V, 20A	600 µA	1.1 nF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII40-06D IGBT ARR HBRIDGE 600V 40A I4PAK5 IXYS	0 In magazzino	25 : € 5,94880 Sfuso	-	Sfuso	Obsoleto	NPT	Semiponte	600 V	40 A	125 W	2,2V a 15V, 25A	600 µA	1.6 nF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Semiponte	1200 V	33 A	150 W	2,9V a 15V, 20A	200 µA	1.2 nF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Semiponte	1200 V	50 A	200 W	2,6V a 15V, 30A	400 µA	2 nF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
AOMU66464Q AOMU66464Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 In magazzino	Obsoleto	-	Sfuso	Obsoleto	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
IXA20PG1200DHG-TUB IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	32 A	130 W	2,1V a 15V, 15A	125 µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TRR IGBT ARR H BRIDGE 1200V 32A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Nastrato in bobina (TR)	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	32 A	130 W	2,1V a 15V, 15A	125 µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	43 A	150 W	2,2V a 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR IGBT ARR H BRIDGE 1200V 43A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Nastrato in bobina (TR)	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	43 A	150 W	2,2V a 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Nastrato in bobina (TR)	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	ISOPLUS™	Tubo	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR IGBT ARR H BRIDGE 1200V 63A 9SMD IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	ISOPLUS™	Nastrato in bobina (TR)	Obsoleto	PT	Semiponte	1200 V	63 A	230 W	2,15V a 15V, 35A	150 µA	-	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	A montaggio superficiale	Modulo 10-LDFN Piazzola parte inferiore esposta	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N170AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK4 IXYS	0 In magazzino	Obsoleto	-	Tubo	Obsoleto	NPT	Semiponte	1700 V	18 A	140 W	6V a 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	No	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	i4-Pac™-4, isolato	ISOPLUS i4-PAC™

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I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) sono dispositivi a semiconduttori di potenza ad alta efficienza e a commutazione rapida, a tre terminali, e sono utilizzati principalmente come interruttori elettronici. Sono utilizzati negli alimentatori a commutazione in applicazioni ad alta potenza come azionamenti a frequenza variabile (VFD), veicoli elettrici, treni, ballast per lampade e condizionatori dell'aria, così come negli amplificatori a commutazione, nei sistemi audio e nei sistemi di controllo industriali. Gli array IGBT contengono più dispositivi in un unico contenitore in configurazioni a ponte intero o a semiponte.

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