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STD4N52K3 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-10647-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STD4N52K3 |
Descrizione | MOSFET N-CH 525V 2.5A DPAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 525 V 2,5 A (Tc) 45W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STD4N52K3 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 50µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 2 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 334 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 525 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,6ohm a 1,25A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FQU3N50CTU | onsemi | 0 | FQU3N50CTU-ND | € 0,00000 | Simile |
| FQU4N50TU-WS | onsemi | 0 | FQU4N50TU-WSOS-ND | € 0,00000 | Simile |
| IXTY1R6N50D2 | IXYS | 84 | 238-IXTY1R6N50D2-ND | € 4,67000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2 500 | € 0,49893 | € 1 247,33 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,49893 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,60869 |



