FQU4N50TU-WS onsemi | FET, MOSFET singoli

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FQU4N50TU-WS
Codice DigiKey	FQU4N50TU-WSOS-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQU4N50TU-WS
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 500 V 2,6 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Foro passante IPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 460 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 45W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 500 V	Contenitore del fornitore IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,6 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-251-3 conduttori corti, IPAK, TO-251AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FQU4N50
RDSon (max) a Id, Vgs 2,7ohm a 1,3A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STD4N52K3	STMicroelectronics	0	497-10647-2-ND	€ 0,49893	Simile

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