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STD30N10F7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-14531-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | STD30N10F7 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 32A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 32 A (Tc) 50W (Tc) A montaggio superficiale DPAK |
Modelli EDA/CAD | STD30N10F7 Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1270 pF @ 50 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore DPAK |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 24mohm a 16A, 10V |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STD45N10F7 | STMicroelectronics | 1 239 | 497-14532-1-ND | € 1,82000 | Consigliato dal produttore |
| AOD2910 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOD2910-ND | € 0,37171 | Simile |
| FDD86102 | onsemi | 54 | FDD86102CT-ND | € 2,33000 | Simile |
| FDD86102LZ | onsemi | 12 861 | FDD86102LZFSCT-ND | € 2,04000 | Simile |
| IPD35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | 12 204 | IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND | € 2,01000 | Simile |
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