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STB8NM60T4 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-5386-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-5386-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-5386-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | STB8NM60T4 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 8 A (Tc) 100W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STB8NM60T4 Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1ohm a 2,5A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 18 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 400 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | D2PAK | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,82000 | € 3,82 |
| 10 | € 2,51700 | € 25,17 |
| 100 | € 1,77400 | € 177,40 |
| 500 | € 1,50684 | € 753,42 |
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,35548 | € 1 355,48 |
| 2 000 | € 1,26997 | € 2 539,94 |
| 3 000 | € 1,23108 | € 3 693,24 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,82000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,66040 |
Italia