STB36NM60N STMicroelectronics | FET, MOSFET singoli

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STB36NM60N
Codice DigiKey	497-12972-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-12972-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB36NM60N
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 29 A (Tc) 210W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB36NM60N Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 83.6 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±25V
Serie MDmesh™ II	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2722 pF @ 100 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Dissipazione di potenza (max) 210W (Tc)
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 29 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 105mohm a 14,5A, 10V	Codice componente base STB36
Vgs(th) max a Id 4V a 250µA

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Sostituti (8)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STB37N60DM2AG	STMicroelectronics	1 115	497-16105-1-ND	€ 7,00000	Consigliato dal produttore
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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 2,92706	€ 2 927,06

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 7,30000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 8,90600

STB36NM60N