Name: STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-11096-2-ND
Price: 3.3306 EUR
Availability: InStock

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STB120N4LF6
Codice DigiKey	497-11096-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-11096-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-11096-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB120N4LF6
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 80 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB120N4LF6 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4mohm a 40A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4300 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	STB120

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,73000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,33060

STB120N4LF6