Canale N 40 V 80 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
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IPB80N04S4L04ATMA1

Codice DigiKey
448-IPB80N04S4L04ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IPB80N04S4L04ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-IPB80N04S4L04ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IPB80N04S4L04ATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 80 A (Tc) 71W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPB80N04S4L04ATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
80 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
4mohm a 80A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,2V a 35µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4690 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
71W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TO263-3-2
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
IPB80N
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In magazzino: 472
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,18000€ 2,18
10€ 1,40000€ 14,00
100€ 0,95350€ 95,35
500€ 0,76230€ 381,15
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 0,61798€ 617,98
2 000€ 0,57240€ 1 144,80
3 000€ 0,55049€ 1 651,47
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,18000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,65960
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